本儀器熱探筆內(nèi)裝有加熱和控溫組件，自動加熱并使溫度維持在40-60℃范圍內(nèi)，冷熱探筆在半導(dǎo)體材料上產(chǎn)生的熱電動勢，經(jīng)低噪聲、低漂移的集成運算放大器放大后，用寬表面檢計示型號方向，并可定量測出熱電的數(shù)值大小。儀器靈敏度可調(diào)，可在廣泛的電阻率（從1000Ω·cm阻單晶到10^-4Ω·cm重摻單晶）范圍內(nèi)判別半導(dǎo)體材料型號。

 

1、可判別鍺、硅材料的電阻率范圍：

   鍺：非本征鍺～10^-4Ω·cm

   硅：10⁴～10^-4Ω·cm

   實驗證明：在室溫情況下，對于電阻率低于1000Ω·cm的N型和P型硅，本方法結(jié)果可靠。

2、熱電測量范圍：0～±1μA   分六個量程：

±3nA、±10nA、±30nA、±100nA、±300nA、±1μA

zui大偏轉(zhuǎn)靈敏度：1×10^-11A/格

3、鍺、硅單晶直徑及長度：不受限制。

4、顯示方式：中心刻度為零位的寬表面針示器，針向正方向偏轉(zhuǎn)被測樣品為P型，針向負方向偏轉(zhuǎn)被測樣品為N型。

5、探針：選用ASTM F42標(biāo)準(zhǔn)中建議的不銹鋼作探針材料，針尖為60°錐體，熱筆溫度自動保持在40-60℃范圍內(nèi)。冷筆與室溫相同。

6、電源及耗：AC 220V±10%，50HZ交供電，耗電小于10W。

7、外型尺寸：170×160×230（mm）

8、重量：約2.5kg